5082-3080

在追求极致射频性能的赛道上，您是否还在为信号切换的损耗与延迟而困扰？想象一下，一个关键的天线切换瞬间，信号的纯净度与响应速度直接决定了整个通信系统的成败。现在，5082-3080的到来，正是为了终结这种不确定性，它将高可靠性、低损耗的射频开关性能，浓缩于一个经典的轴向封装之中。

这款来自安华高科技（现博通）的PIN二极管射频开关，绝非普通元件。其100V的峰值反向电压与仅0.4pF@50V的超低结电容，意味着它在高频环境下拥有卓越的隔离度与极快的开关速度，能确保您的信号路径清晰、切换果断。无论是基站天线阵列的精准波束成形，还是测试测量设备中复杂的信号路由，亦或是军用通信设备里要求严苛的收发切换，5082-3080都能游刃有余，成为系统设计中那个沉默却至关重要的性能基石。它让设计工程师在面对高频挑战时，多了一份从容与自信。

选择5082-3080，就是选择了一份源自博通技术的品质承诺。它继承了Avago在射频领域的深厚积淀，以经典的DO-35轴向封装提供了久经考验的可靠性，同时其2.5欧姆@100mA的低串联电阻，有效降低了插入损耗，直接提升了系统的整体效率。这意味着更长的续航、更清晰的信号以及更稳定的连接。当您需要将顶尖的射频性能融入您的下一代产品时，与值得信赖的博通中国代理合作，获取这颗性能标杆级的芯片，无疑是加速项目成功、赢得市场先机的明智之举。让它为您的创新构想，提供最坚实的射频核心支撑。

• 型号:5082-3080
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 二极管类型:PIN - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:100V
• 电流 - 最大值:100 mA
• 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 50V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 100mA，100MHz
• 功率耗散（最大值）:250 mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:-
• 5082-3080的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。