




AT-32011-TR1G
- 制造厂商:Avago(中文名:安华高(博通,Broadcom))
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管,封装:SOT-143
- 技术参数:RF TRANS NPN 5.5V SOT-143
- (专注销售Avago电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AT-32011-TR1G参数详情:
在追求极致信号清晰度的射频世界里,您是否还在为如何在紧凑空间内实现低噪声、高增益的稳定放大而烦恼?今天,我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案AT-32011-TR1G。这颗源自安华高科技(现Broadcom博通)的射频晶体管,以其卓越的性能和可靠性,早已成为众多工程师在关键设计中的信赖之选。即便处于停产状态,其卓越的指标和广泛的应用验证,使其依然是特定高性能、高可靠性场景下的珍贵组件,通过可靠的Broadcom代理商渠道,依然能为您的项目注入强大动力。
想象一下,在您的无线通信模块、便携式医疗设备或是高精度测试仪器中,信号链的前端至关重要。AT-32011-TR1G正是为此而生。它是一款NPN型射频晶体管,专为高频放大设计,其核心价值在于极低的噪声系数在900MHz下典型值仅为1dB至1.3dB,这意味着它能最大限度地保留原始信号的纯净度,将外部引入的干扰噪声降至极低水平。同时,它还能提供12.5dB至14dB的出色增益,让微弱的射频信号得到显著而稳定的放大,为后续电路处理奠定坚实基础。这种“低噪声、高增益”的特性组合,使得它在对信号质量有苛刻要求的场景中,如LNA(低噪声放大器)设计,表现尤为突出。
为何在众多选择中,资深工程师们依然会青睐这颗芯片?答案在于其经过千锤百炼的平衡艺术与可靠性。它能在2mA、2.7V的条件下提供不低于70的直流电流增益(hFE),确保了良好的线性度和偏置稳定性。5.5V的集射极击穿电压和32mA的最大集电极电流,为其在常见低电压射频系统中稳定工作提供了充足余量。表面贴装(SOT143封装)的设计使其能够轻松融入高密度的现代PCB布局,节省宝贵空间。高达150°C的结温工作能力,更是赋予了其应对严苛环境挑战的坚韧品质。选择AT-32011-TR1G,不仅是选择了一组优秀的参数,更是选择了一份由安华高/博通品牌背书的性能承诺与长期设计信心。
因此,当您的设计目标指向高性能、高可靠性的射频前端时,AT-32011-TR1G代表着一个不会出错的方向。它可能不再是新品列表中的选项,但其承载的技术价值与解决方案的成熟度,对于追求极致性能、需要替代经典设计或维护长期产品线的项目而言,意义非凡。让它成为您产品中那个默默奉献却至关重要的“信号守护者”,在看不见的频谱世界里,为您赢得清晰、稳定与可靠的竞争优势。
- 型号:AT-32011-TR1G
- 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
- 封装:SOT-143
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- 描述:RF TRANS NPN 5.5V SOT-143
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):5.5V
- 频率 - 跃迁:-
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
- 增益:12.5dB ~ 14dB
- 功率 - 最大值:200mW
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):70 @ 2mA,2.7V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):32mA
- 工作温度:150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
- 供应商器件封装:SOT-143
- AT-32011-TR1G的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。






















