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ATF-36077-TR1供应商
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ATF-36077-TR1
- 制造厂商:Avago(中文名:安华高(博通,Broadcom))
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:77
- 技术参数:RF MOSFET PHEMT FET 1.5V 77SMD
- (专注销售Avago电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
ATF-36077-TR1参数详情:
在追求极致信号纯净度的无线通信世界里,您是否还在为微弱的噪声干扰而妥协系统性能?想象一下,当您的雷达接收前端或卫星通信链路,能够以近乎理论极限的灵敏度捕捉每一个微弱信号,那将带来怎样的性能飞跃?今天,我们为您带来的ATF-36077-TR1,正是这样一款旨在重新定义低噪声放大器标准的卓越芯片,它不仅仅是一个组件,更是您系统迈向更高信噪比、更远探测距离、更清晰通信质量的关键引擎。
源自安华高科技(现Broadcom博通)深厚的pHEMT工艺积淀,这颗芯片在2GHz至18GHz的广阔频段内,实现了令人惊叹的0.5dB超低噪声系数。这意味着,它将引入的额外噪声降至微乎其微,让您接收到的信号背景如同深空般宁静,有效信号得以被极大限度地放大和识别。无论是面对复杂电磁环境下的军用雷达、要求苛刻的卫星通信终端,还是高精度测试测量设备,ATF-36077-TR1都能确保您的系统在最前端就赢得信噪比优势,为后续处理打下坚实基础。其12dB的稳定增益与5dBm的输出功率能力,在放大微弱信号的同时保持了出色的线性度,让您的设计游刃有余。
选择ATF-36077-TR1,就是选择了一份来自尖端技术的可靠承诺。它采用紧凑的77-SMD封装,在节省宝贵板面积的同时,其优异的散热和稳定性设计确保了在严苛环境下的长期可靠运行。仅需1.5V的低测试电压和3V的工作电压,配合45mA的额定电流,它在提供顶级射频性能的同时,也展现了对系统功耗的友好性,特别适合对功耗敏感的平台应用。当您致力于打造下一代高性能无线系统时,这颗芯片就是您提升核心竞争力、实现差异化设计的秘密武器。要获取这颗性能标杆级的产品以及全面的技术支持,我们推荐您咨询专业的Broadcom代理商,他们将为您提供从选型到集成的全程服务。
- 型号:ATF-36077-TR1
- 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
- 封装:77
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 描述:RF MOSFET PHEMT FET 1.5V 77SMD
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:pHEMT FET
- 配置:-
- 频率:12GHz
- 增益:12dB
- 电压 - 测试:1.5 V
- 额定电流(安培):45mA
- 噪声系数:0.5dB
- 电流 - 测试:10 mA
- 功率 - 输出:5dBm
- 电压 - 额定:3 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:4-SMD(77 封装)
- 供应商器件封装:77
- ATF-36077-TR1的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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