ATF-36163-TR2G

在追求极致信号纯净度的射频世界里，您是否还在为微弱的噪声和有限的增益而妥协？想象一下，在4GHz的频段下，噪声系数仅为0.6dB，这意味着您的系统能够捕捉到更清晰、更真实的信号，将背景干扰降至几乎不可察觉的水平。这正是ATF-36163-TR2G带来的核心价值它不仅仅是一个射频FET，更是您提升接收机灵敏度和整体链路性能的秘密武器。

这颗采用先进pHEMT工艺的晶体管，在2V的测试电压下就能展现出15.8dB的卓越增益，同时仅需15mA的测试电流，完美诠释了“高效能、低功耗”的设计哲学。无论是用于低噪声放大器（LNA）来放大微弱的卫星导航信号，还是作为混频器或振荡器中的关键有源器件，它都能确保您的设计在信号链的起始端就建立起决定性的优势。其紧凑的SOT-363封装，更是为空间受限的便携式设备、物联网模块以及测试测量仪器提供了理想的解决方案，让高性能不再受限于物理尺寸。

选择ATF-36163-TR2G，就是选择了一种经过验证的可靠性。它源自安华高科技（现为Broadcom博通）的深厚技术积淀，其优异的线性度和5dBm的输出功率能力，能够帮助您的产品在拥挤的频谱环境中保持稳定输出，减少互调失真。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定高性能、高可靠性要求的领域，依然是通过专业渠道获取的珍贵组件。当您需要为关键项目寻找这样的高性能射频解决方案时，联系一家可靠的Broadcom代理商，获取经过严格质量控制的元器件，无疑是确保项目成功与长期稳定性的明智之举。

• 型号:ATF-36163-TR2G
• 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:pHEMT FET
• 配置:-
• 频率:4GHz
• 增益:15.8dB
• 电压 - 测试:2 V
• 额定电流（安培）:40mA
• 噪声系数:0.6dB
• 电流 - 测试:15 mA
• 功率 - 输出:5dBm
• 电压 - 额定:3 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• ATF-36163-TR2G的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。